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技术成果

重点项目介绍

天津市2007年二十项重大工业项目之一 6英寸0.35微米功率半导体器件生产线该项目是天津市二十大重点工业项目,生产线具备完善MOSFET/SBD/IGBT/FRED/TVS等加工工艺,可进行功率集成电路的生产、制造,成为国内最先进的功率生产线之一。拥有6英寸0.35微米功率器件,主要产品为功率集成电路和VDMOS、Trench MOS、SBD、FRD、IGBT等系列功率分立器件。

该条生产线具备研发IGBT及对IGBT用区熔硅材料验证的能力。公司具有多年从事半导体功率器件研发和生产的经验,拥有半导体功率器件从芯片制造到产品封装的全套技术。目前公司已成功实现6英寸IGBT用区熔硅单晶材料的产业化技术,并成功研制出1200V Trench IGBT。

天津市2008年二十项重大工业项